特許
J-GLOBAL ID:200903046718393596

光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 花田 吉秋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-033122
公開番号(公開出願番号):特開2009-007327
出願日: 2008年02月14日
公開日(公表日): 2009年01月15日
要約:
【課題】活性放射線、特に、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーあるいはEUVに代表される遠紫外線や電子線等に感応する感放射線性酸発生剤として、良好な燃焼性を示し、また人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸(光発生酸)の酸性度が十分高く、発生する酸(光発生酸)が適度な沸点を有するばかりでなく、レジスト被膜中での拡散長が適度に短くなり、さらにはレジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れた新規な光酸発生剤として機能する化合物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表されるスルホン酸オニウム塩。(前記式(1)において、R1は1価の有機基、Q+はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す)【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記式(A)で示される構造を有する含フッ素スルホン酸塩もしくは、含フッ素スルホン酸基含有化合物。
IPC (8件):
C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 ,  C08F 20/26 ,  C08F 32/08
FI (8件):
C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K ,  C08F20/26 ,  C08F32/08
Fターム (29件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF07 ,  2H025BF29 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4J100AL08P ,  4J100AR11P ,  4J100BA03P ,  4J100BA59P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100CA05 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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