特許
J-GLOBAL ID:200903046806749937
高周波パッケージおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-248482
公開番号(公開出願番号):特開2001-156196
出願日: 2000年08月18日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 製造が容易な高周波パッケージを提供すること。【解決手段】 銅製のベースプレート11と、回路素子を収納するスペース13を有しベースプレート11上に設けられたセラミックフレーム12と、このセラミックフレーム12上に形成されたリード構体14とを具備し、ベースプレート11とセラミックフレーム12、および、セラミックフレーム12とリード構体14をそれぞれDBC法で接合している。
請求項(抜粋):
銅製のベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられたセラミックフレームと、このセラミックフレーム上に形成された回路パターンとを具備した高周波パッケージにおいて、前記ベースプレートと前記セラミックフレーム、および、前記セラミックフレームと前記回路パターンがそれぞれDBC法で接合されたことを特徴とする高周波パッケージ。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/02 H
, H01L 23/12 D
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
特開昭61-270850
-
セラミック誘電体基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-100025
出願人:株式会社東芝
-
特開昭64-059986
全件表示
前のページに戻る