特許
J-GLOBAL ID：200903046812005940

光電変換装置の製造方法及び光電変換装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
下村 明久

下村 明久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067256
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260310
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】簡便なプロセスで、優れた光電変換特性を有する省資源型の光電変換装置を提供する。【解決手段】単結晶半導体基板、代表的には単結晶シリコン基板を薄板化し、該薄板化された単結晶半導体基板である薄板単結晶半導体層を用いて光電変換装置を構成する。単結晶半導体基板の薄板化は、電圧で加速した水素イオンを照射する方法、又は多光子吸収を生じさせるレーザビームを照射する方法を利用して行う。薄板化された単結晶半導体基板上に非単結晶半導体層を有するユニットセルを積層して、所謂タンデム型光電変換装置とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板に脆化層を形成し、 前記単結晶半導体基板の一表面側に一導電型を付与する不純物元素を導入して第1不純物半導体層を形成し、 前記脆化層を境として前記単結晶半導体基板を分割することにより、前記単結晶半導体基板から前記第1不純物半導体層が形成された薄板単結晶半導体層を分離し、 前記薄板単結晶半導体層の前記第1不純物半導体層が形成された側と反対側の面に第2不純物半導体層を形成し、 前記第2不純物半導体層上に第3不純物半導体層、非単結晶半導体層、第4不純物半導体層を順に形成し、 前記第4不純物半導体層上に第1電極を形成し、 前記薄板単結晶半導体層の前記第2不純物半導体層が形成された側と反対側の面に第2電極を形成する ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 B
Fターム (31件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB19 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051EA09 ,  5F051EA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07
引用特許：
審査官引用 (8件)
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