特許
J-GLOBAL ID：200903021216347768
タンデム型太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138873
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335683
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 高い変換効率を確保しつつ低コスト化および省資源化を図ることができるタンデム型太陽電池およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 基板1上に絶縁層2を介して下部電極層3を形成する。p型単結晶シリコン板4の5〜10μmの深さにHを層状にイオン注入する。Hが注入された単結晶シリコン板4を下部電極層3上に接着する。熱処理により、単結晶シリコン板4に注入された原子状水素の領域5に層状に分布する空隙を形成し、単結晶シリコン板4を層状に分布した空隙の領域5aで切断して下部電極層3上に接着されたp型単結晶シリコン層4aと残りのp型単結晶シリコン板4bとに分離する。熱処理により、下部電極層3からp型不純物をp型単結晶シリコン層4aに拡散させることによりp+ 型拡散層を形成する。p+ 型拡散層上にn+ 型単結晶シリコン層、p型非晶質シリコン層およびn型非晶質シリコン層を順に形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に電極層を形成する第1の工程と、結晶半導体の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入する第2の工程と、前記所定の元素が注入された前記結晶半導体を前記電極層上に接着する第3の工程と、熱処理により、前記結晶半導体に注入された前記所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、前記結晶半導体を前記層状に分布した空隙の領域で切断して前記電極層上に接着された結晶半導体層と残りの結晶半導体とに分離する第4の工程と、前記電極層上に接着された前記結晶半導体層に第1の発電層を形成する第5の工程と、前記第1の発電層上に非晶質半導体からなる第2の発電層を形成する第6の工程とを備えたことを特徴とするタンデム型太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
