半導体チップの搭載方法、チップオンチップ構造体の製造方法及びチップオンボード構造体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008270
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】信頼性、生産性及びコスト性に優れた半導体チップの搭載方法を提供すること。【解決手段】この半導体チップ搭載方法では、まずバンプ形成工程後に接合工程を行う。バンプ形成工程では、ワイヤボンディング装置11を利用して半導体チップ2に第1の含金バンプ4群を形成するとともに、同装置11を利用してチップ被搭載物3に第2の含金バンプ5群を形成する。接合工程では、第1及び第2の含金バンプ4,5群を対向させた状態でフリップチップボンディングを行い、半導体チップ2とチップ被搭載物3との間に一定のギャップ6を確保しつつ両者2,3を一体化する。

請求項（抜粋）：

ワイヤボンディング装置を利用して半導体チップに第1の含金バンプ群を形成するとともに、同じくワイヤボンディング装置を利用してチップ被搭載物に第2の含金バンプ群を形成するバンプ形成工程と、前記第1及び第2の含金バンプ群を対向させた状態でフリップチップボンディングを行い、前記半導体チップと前記チップ被搭載物との間に一定のギャップを確保しつつ両者を一体化する接合工程とを含むことを特徴とする半導体チップの搭載方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 Q

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-116266 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-262130 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016831 出願人：松下電子工業株式会社

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