特許
J-GLOBAL ID：200903046928063319
シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022628
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044386
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：
【要約】【課題】結晶欠陥のないシリコン単結晶を引き上げることができるとともにシリコン単結晶の単結晶化率を極めて向上させることができるシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該るつぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からなるシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、シリコン単結晶引き上げ後のるつぼ内面の1mm以内に径0.5mm以上の泡膨張が存在しないようにした。
請求項（抜粋）：
半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、該るつぼ基体の内壁面に形成された透明石英ガラス層からなるシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、シリコン単結晶引き上げ後のるつぼ内面の1mm以内に径0.5mm以上の泡膨張が存在しないようにしたことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C03B 20/00
, C30B 15/10
C30B 29/06 502 B
, C03B 20/00 H
, C30B 15/10
