半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032180
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体を用いた緑色ないし青色で面発光可能な半導体発光素子を実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnSSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、n型ZnSSe光導波層5、活性層6、p型ZnSSe光導波層7、p型ZnMgSSeクラッド層8、p型ZnSSe層9、p型ZnSeコンタクト層10、p型ZnSe/ZnTeMQW層11およびp型ZnTeコンタクト層12を順次積層するとともに、p型ZnTeコンタクト層12上には格子状のp側電極13およびそれを覆うAu膜14を設け、n型GaAs基板1の裏面にはn側電極15を設ける。活性層6は例えばZnCdSe量子井戸層を含む単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とする。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層は、Zn、Hg、Cd、MgおよびBeから成る群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とS、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体から成り、上記基板の主面に対してほぼ垂直な方向に光が面状に取り出されることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-185821 出願人：ソニー株式会社
オーミック電極及びその形成方法並びに発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-032741 出願人：ソニー株式会社
特開平4-361572

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