導電性パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、および有機電界発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-261571
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073856
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】塗布技術を用いながらも、表面平坦性を確保しつつ薄型化された導電性パターンを形成可能な方法を提供する。【解決手段】金属微粒子sを溶媒中に分散させてなるペースト材料を基板1上に塗布してペースト材料膜3を塗布成膜する。ペースト材料膜3を焼成処理して導電性材料膜5とする。導電性材料膜5をパターニングすることにより導電性パターン5aを形成する。その後、この導電性パターン5aをゲート電極とし、これを覆う状態でゲート絶縁膜を形成し、この上部にソース/ドレイン電極を形成する。次に、ソース/ドレイン電極間におけるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属微粒子を溶媒中に分散させてなるペースト材料を基板上に塗布してペースト材料膜を塗布成膜する工程と、前記ペースト材料膜を焼成処理して導電性材料膜とする工程と、前記導電性材料膜をパターニングする工程と、を行うことを特徴とする導電性パターンの形成方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/321 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H05B 33/26

FI (8件)：

H01L29/78 617J , H01L21/88 C , H01L29/78 627A , H01L29/78 618B , H01L21/288 Z , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/26 Z

Fターム (72件)：

3K007AB18 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F033GG00 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033KK03 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ73 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-184860 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

銀配線パターンの形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-207578 出願人：真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-027902 出願人：株式会社リコー
液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-328461 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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