特許
J-GLOBAL ID：200903047025911506

ショットキバリアダイオードとその製造方法

発明者：
笠原 尋古

笠原 尋古 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-037152
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228772
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】製造上の制御が容易で、逆方向のリークを増大することなく、逆回復時間Trrを短縮できるショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するPN接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Trrを短縮できる。さらに、欠陥領域を形成するために新にパターニングし保護膜等を形成する必要がないため、工程を増やすことなく、電子線照射の工程のみで対応が可能という製造上の利点もある。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板の第一主面上に第一導電型低濃度層が形成され、前記第一導電型低濃度層の表面側に第二導電型領域のガードリングが環状に形成され、前記第二導電型領域の表面側と前記第二導電型領域の外周部に隣接した前記第一導電型低濃度層の表面側とに絶縁層が形成され、前記第一導電型低濃度層と前記第二導電型領域とに接するショットキバリアを形成する金属層が形成され、前記金属層に電極が形成され、前記第二導電型領域真下部に局部的に欠陥領域が形成されたことを特徴とするショットキバリアダイオード。
IPC (3件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/263
FI (3件)：
H01L29/48 F ,  H01L21/263 E ,  H01L29/48 P
Fターム (11件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 実開平04-25255号公報
審査官引用 (6件)
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