コーナーにおける面取り及び丸み付けを使用する光学近似補正

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 岩本行夫 , 吉田裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-140320
公開番号（公開出願番号）：特開2005-301296
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】基板上に形成されるデザインを最適化する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、デザイン像の少なくとも1つのコーナーの丸みを近似する工程と、該少なくとも1つのコーナーの近似した丸みにさらにデザインの描写を生成する工程と、その描写に基づき、デザインを撮像するために利用するマスクの最初の描写を生成する工程と、マスクの最初の描写に光近接効果の補正OPCをさらに実施する工程とを含む。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板上に形成されるべきデザインを最適化する方法であって、 (a)前記デザインの像の少なくとも1つのコーナーの丸みを近似する工程と、 (b)前記少なくとも1つのコーナーの前記近似した丸みに前記デザインの描写をさらに生成する工程と、 (c)前記描写に基づき前記デザインを撮像するために利用されたマスクの最初の描写を生成する工程と、 (d)前記マスクの前記最初の描写に光近接効果の補正(OPC)をさらに行う工程とを含む、方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 , G06F17/50 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F1/08 A , G06F17/50 658M , H01L21/30 502P

Fターム (5件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 5B046AA08 , 5B046BA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

LSI用パターンのレイアウト作成方法、LSI用パターンの形成方法及びLSI用マスクデータの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-048766 出願人：松下電器産業株式会社
半導体回路の設計パタンデータ補正方法と、補正された設計パタンデータを用いたフォトマスク、該フォトマスクの検査方法およびフォトマスク検査用パタンデータ作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-292296 出願人：大日本印刷株式会社
転写光強度分布のシミュレーション方法、マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-179952 出願人：ソニー株式会社

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