特許
J-GLOBAL ID：200903028885165130
露光用マスク及びそのパターン補正方法並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-007743
公開番号（公開出願番号）：特開2005-202102
出願日： 2004年01月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】露光用マスク及びそのパターン補正方法に関し、パターン端部のショートニングを抑制するとともに、パターンを近接して配置しうるマスクパターン補正方法、並びに、このようなマスクパターン補正方法を用いて補正したマスクパターンを有する露光用マスクを提供する。【解決手段】第1の端部を有する第1のマスクパターン12と、第1の端部に対向する第2の端部を有する第2のマスクパターン14とを有し、第1のマスクパターン12は、補正前のマスクデータである主パターン12aの端部に、主パターン12aの端部よりも幅の狭い補助パターン12bを付加する補正が施されている【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
補正前のマスクデータである主パターンの端部に、前記主パターンの前記端部よりも幅の狭い補助パターンを付加する補正が施されたマスクパターンを有することを特徴とする露光用マスク。
IPC (3件)：
G03F1/08
, H01L21/027
, H01L21/3205
G03F1/08 A
, G03F1/08 D
, H01L21/30 502P
, H01L21/88 B
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 5F033QQ01
, 5F033XX00
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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