特許
J-GLOBAL ID：200903047068961159

窒化物半導体ウェハ

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
平岡 晋

平岡 晋 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-163084
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335484
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。【解決手段】異種基板1と、異種基板1上に成長した窒化物半導体結晶層3と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層3が、第1結晶層31と、第1結晶層31を下地層として成長した第2結晶層32とを含んでおり、第2結晶層32の少なくとも一部にはMgが添加されており、第1結晶層31と第2結晶層32との間にはマスク層Mが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層3が、更に、第2結晶層32の上にMg拡散防止層33を含んでいる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
異種基板と、該異種基板上に成長した窒化物半導体結晶層と、からなる窒化物半導体ウェハであって、 前記窒化物半導体結晶層が、第1結晶層と、第1結晶層を下地層として成長した第2結晶層とを含んでおり、 第2結晶層の少なくとも一部にはMgが添加されており、 第1結晶層と第2結晶層との間にはマスク層が挟まれている窒化物半導体ウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z
Fターム (34件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077EJ09 ,  4G077FB07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045DA63 ,  5F045DB01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM