窒化物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366393
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200362
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】特別な欠陥低減手法を用いることなく、高発光効率、高信頼性、高生産性、低コストの窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に形成されInを含む窒化物半導体からなる発光層と、AlxGa1-xN(0≦x)からなる大格子定数層と、AlyGa1-yN(x<y≦1、0.30≦y-x≦0.50)からなり前記大格子定数層よりも小さい格子定数を有する小格子定数層と、を交互に2周期以上積層した構造からなる歪多層構造層と、前記歪多層構造層上に形成され、窒化物半導体からなり、p型ドーパントとしてのマグネシウムが添加されたp型層と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなるn型層と、前記n型層上に形成されInを含む窒化物半導体からなる発光層と、 AlxGa1-xN(0≦x)からなる大格子定数層と、AlyGa1-yN(x<y≦1、0.30≦y-x≦0.50)からなり前記大格子定数層よりも小さい格子定数を有する小格子定数層と、を交互に周期的に積層した構造からなる歪多層構造層と、前記歪多層構造層上に形成され、窒化物半導体からなり、p型ドーパントとしてのマグネシウムが添加されたp型層と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S5/343 , H01L21/205 , H01L33/00

FI (3件)：

H01S5/343 610 , H01L21/205 , H01L33/00 C

Fターム (41件)：

5F041AA03 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045AF16 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F073AA44 , 5F073AA76 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073CB22 , 5F073DA21 , 5F073EA24 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (8件)

p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-207658 出願人：日本電気株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009638 出願人：ソニー株式会社
p型III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-153583 出願人：株式会社リコー

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