特許
J-GLOBAL ID：200903047200684100
半導体装置及び半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278638
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291932
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 結晶学的に高品質な歪層を作製可能な構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 基板が、第1の半導体材料が表出した主表面を有する。基板の主表面上に微細構造体が配置されている。微細構造体は、第1の半導体材料の格子定数とは異なる格子定数を有する第2の半導体材料からなり、凹凸を有する上面を画定する。微細構造体の上に歪層が配置されている。歪層は、第1の半導体材料の格子定数とは異なる格子定数を有する第3の半導体材料からなる。
請求項（抜粋）：
第1の半導体材料が表出した主表面を有する基板と、前記基板の主表面上に配置され、前記第1の半導体材料の格子定数とは異なる格子定数を有する第2の半導体材料からなり、凹凸を有する上面を画定する微細構造体と、前記微細構造体の上に配置され、下地の格子定数とは異なる格子定数を有する第3の半導体材料からなる歪層とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01S 5/183
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01S 5/183
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DA69
, 5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA25
