パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-158904
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311502
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】パターンの制約を緩和する、チップ面積を減少させる、或いは配線の信頼性を向上するパターン形成方法を提供すること。【解決手段】パターン形成方法は、複数種類のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記複数種類のパターンを、第1の照明形状の第1の照明で形成する第1のパターンと、前記第1の照明形状とは異なる第2の照明形状の第2の照明で形成する第2のパターンとに分類する工程(S101)と、前記第1の照明で前記第1のパターンを第1のレジスト層に露光する工程(S104)と、前記第2の照明で前記第2のパターンを前記第1のレジスト層とは別の第2のレジスト層に露光する工程(S110)とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数種類のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記複数種類のパターンを、第1の照明形状の第1の照明で形成する第1のパターンと、前記第1の照明形状とは異なる第2の照明形状の第2の照明で形成する第2のパターンとに分類する工程と、前記第1の照明で前記第1のパターンを第1のレジスト層に露光する工程と、前記第2の照明で前記第2のパターンを前記第1のレジスト層とは別の第2のレジスト層に露光する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 514A

Fターム (5件)：

5F046AA13 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046CB23

引用特許：

審査官引用 (6件)

レジスト塗布装置およびレジスト塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-093722 出願人：セイコーエプソン株式会社
マスクパターンデータ作成方法、パターン形成方法、レチクルの補正方法、レチクルの作成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-047474 出願人：株式会社東芝
コンタクトホールの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-362145 出願人：株式会社東芝

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