特許
J-GLOBAL ID：200903047279268310
波長可変型面発光半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288972
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072118
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】 波長可変型VCSELを提供する。【解決手段】 下部DBR層50上に電流制限層82を備え、レーザ発振のための上部電極92a、92b及び下部電極90以外に光の放出される上部DBR層70の与えられた領域上に有効共振領域の幅を可変させるための別途の電極94a、94bを備えることを特徴とするVCSEL。本発明によれば、従来のVCSELを利用する時より放出される光の波長を高速に変化させうるだけでなく、従来の温度可変を通じて有効共振領域の幅を変化させる時に現れるレーザ発振の利得特性の低下が防止できて、放出される光の波長可変領域を増加させうる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の底面に形成された第1電極と、
前記基板上に形成された下部分散ブラッグ反射器層と、
前記下部分散ブラッグ反射器層上に形成された電流制限層と、
前記電流制限層上に形成された共振器層と、
前記共振器層の与えられた領域上に形成された上部分散ブラッグ反射器層と、
前記上部分散ブラッグ反射器層の周囲の共振器層上に形成されて前記第1電極と共にレーザ発振に使われる第2電極と、
前記上部分散ブラッグ反射器層上に形成されて前記第2電極と共に有効共振領域の幅を可変させるのに使われる第3電極と、を備えることを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA09
, 5F073AA61
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA02
, 5F073CA03
, 5F073CA11
, 5F073CB02
, 5F073EA03
