特許
J-GLOBAL ID:200903047477506650
平面研磨装置及び加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-160965
公開番号(公開出願番号):特開2005-335047
出願日: 2004年05月31日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】シリコンウェーハ等の半導体基板の両面を同時に研磨加工する両面研磨装置において、研磨パッド面の平面形状を常に高平坦に保持し、加工精度の安定向上が計れる平面研磨装置及び加工方法を提供する。【解決手段】 研磨加工中の上下研磨パッド面が、研磨摩擦熱で凹又は凸に変化することを想定し逆の凸又は凹に上下研磨プレート面を仕上げ、加工時は上下研磨パッドの加工面の形状形状変位量を、研磨プレートの幅の内周、中央、外周の3箇所に組み付けた非接触変位計26で読みとり上下研磨パッドが平面を維持するように研磨プレートへ供与する冷却水の流量・温度及び研磨剤の流量・温度を制御する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
水平面内に組み込まれた中心歯車と内歯車との間に、被加工物を保持する複数個のキャリアを等間隔に配置させて被加工物であるワークを挿入した後、上プレートを下降させて下プレートとで挟み込んだ状態で、研磨剤を供給しつつワークキャリアを自転及び公転させる遊星運動と上下プレートの相対的な回転運動を同時に行う平行平面研磨装置において、ワークを研磨加工することにより発生する研磨摩擦熱で上下研磨プレートの加工面の平面が凸又は凹状に変形するので、加工開始前の研磨プレートを予め凹又は凸状に仕上げ定常運転加工時に研磨プレートの加工面が平面を維持するようにした平面研磨装置及び加工方法
IPC (2件):
FI (4件):
B24B37/00 J
, H01L21/304 621A
, H01L21/304 622F
, H01L21/304 622R
Fターム (6件):
3C058AA07
, 3C058AC02
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-004830
出願人:新日本製鐵株式会社
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研磨装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-019020
出願人:信越半導体株式会社, 三益半導体工業株式会社
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ウェーハ研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-259581
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社
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