特許
J-GLOBAL ID：200903047699073654
カーボンナノチューブ成長用基板及びその基板を用いたカーボンナノチューブの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-147726
公開番号（公開出願番号）：特開2007-314391
出願日： 2006年05月29日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】 半導体素子作製プロセスに適用できるような低温でカーボンナノチューブを成長させることができる基板及びこの基板を用いた低温でのカーボンナノチューブの作製方法の提供。【解決手段】 真空チャンバ内に、基板と触媒層との間に二層からなるバッファ層を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板を載置し、次いで、基板がプラズマに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、この基板上に、プラズマにより原料ガスを分解して得られたラジカルを接触させてカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に触媒層が形成されたカーボンナノチューブ成長用基板において、基板と触媒層との間に二層からなるバッファ層を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, B01J27/24 M
4G146AA11
, 4G146AD22
, 4G146BA12
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146BC32B
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BB04A
, 4G169BB11A
, 4G169BB11B
, 4G169BC16A
, 4G169BC22A
, 4G169BC50A
, 4G169BC50B
, 4G169BC56A
, 4G169BC59A
, 4G169BC59B
, 4G169BC68B
, 4G169BD06A
, 4G169BD06B
, 4G169CB81
, 4G169DA06
, 4G169EA08
, 4G169EB15Y
, 4G169EE01
, 4G169FA05
, 4G169FA08
, 4G169FB02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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