特許
J-GLOBAL ID：200903047731189015

シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
井谷 司

井谷 司 について

, 
小島 由紀子

小島 由紀子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168923
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003911
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 低温でCVD法により薄く形成する場合であっても大きい絶縁耐力を得ることができるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。また、記録ビットの微細化に対応しうる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 有機シランガスと酸素とを用いたプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、酸素に対する有機シランガスの流量比を0.0001〜0.05とし、励起周波数を10〜150kHzとして、基板上10にシリコン酸化膜14、20を形成する。
請求項（抜粋）：
有機シランガスと酸素とを用いたプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、酸素に対する有機シランガスの流量比を0.0001〜0.05とし、励起周波数を10kHz〜150kHzとして、基板上にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12
FI (5件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12
Fターム (21件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  5D034BA15 ,  5D034BB03 ,  5D034DA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF80 ,  5F058BH11
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM