光導波路素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森岡正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029724
公開番号（公開出願番号）：特開2000-056343
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を同時に解決できる構造を有する光導波路素子を提供すること。【解決手段】不純物元素を0.01重量%から5.0重量%ドープした導電性または半導電性の下部電極となるSrTiO3単結晶基板2と、単結晶基板2表面に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の酸化物バッファ層4と、バッファ層4上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の電気光学効果を有する酸化物薄膜光導波路1と、光導波路1上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極7とを備えた光導波路素子による。本発明の光導波路素子は上部電極7と下部電極2との間に電圧を印加することにより、光導波路に入射する光ビームを変調、スイッチング、または偏向することができる。

請求項（抜粋）：

不純物元素を0.01重量%から5.0重量%ドープした導電性または半導電性の下部電極となるSrTiO3単結晶基板と、前記単結晶基板表面に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の酸化物バッファ層と、前記バッファ層上に設けられたエピタキシャルまたは単一配向性の電気光学効果を有する酸化物薄膜光導波路と、前記光導波路上に設けられた導電性薄膜または半導電性薄膜の上部電極とを備えたことを特徴とする光導波路素子。

IPC (2件)：

G02F 1/29 , G02F 1/055 501

FI (2件)：

G02F 1/29 , G02F 1/055 501

引用特許：

審査官引用 (13件)

光偏向素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176939 出願人：富士ゼロックス株式会社
光走査素子及び画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-325832 出願人：富士ゼロックス株式会社
強誘電体薄膜素子の製造方法、及び強誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-168339 出願人：富士ゼロックス株式会社

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