MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151536
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343965
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路のトランジスタのゲート絶縁膜を、安定な高誘電率絶縁膜で構成した、リーク電流が小さくしかも駆動力の大きい、MIS型半導体装置を提供する。また、閾値電圧のバラツキの小さい、量産可能で安価な高誘電率ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム酸化物層と、ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層とを積層した積層ゲート絶縁膜を用いたMIS型半導体装置。ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層を、導電チャネル側に設置する。

請求項（抜粋）：

アルミニウム酸化物層と、ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層とを積層した積層ゲート絶縁膜を備えていることを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 C , H01L 21/316 M , H01L 21/316 Y , H01L 29/78 301 G

Fターム (28件)：

5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BE10 , 5F058BF14 , 5F058BF62 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-066960 出願人：株式会社東芝
半導体素子の誘電体膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-002631 出願人：三星電子株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146330 出願人：大見忠弘

全件表示

前のページに戻る