特許
J-GLOBAL ID：200903047937788110

基板を冷却するための方法及び装置

発明者：
ラーエイマケール イーフォ

ラーエイマケール イーフォ について


出願人/特許権者：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570821
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525848
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】半導体基板を、操作前に冷却するための方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板及び支持構造体の組み合わせが、高温処理後に、熱処理チャンバの、ヒートシンクとして機能するコールドウォールまで上昇される。基板からヒートシンクまでの狭い間隙を渡る伝導性のある熱伝達により、(例えばロボットによる)ウェハの操作前に、ウェハの冷却が加速度的に進行する。他の実施形態において、処理中に別個のプレートの冷却がポケット内において持続され、処理後に、該プレートは基板及び支持体の近くに移動される。さらに他の実施形態において、処理チャンバと保管チャンバとの間の冷却ステーションは、2つの可動な冷却プレートを備えており、該冷却プレートは、ウェハのいずれかの側において、間隔を置いて近接した位置まで可動である。
請求項（抜粋）：
処理チャンバで基板を処理するための方法であって、 前記基板をチャンバ内の支持構造体にロードし、 前記基板を少なくとも1つの処理温度まで加熱し、 処理位置において前記処理温度で前記基板を処理し、 前記基板を処理した後、前記基板と、前記基板がヒートシンクの冷却表面に対して熱を失う前記冷却表面とを冷却位置に持ってくるように、前記チャンバ内のエレメントを移動し、 前記基板及び前記冷却表面を前記冷却位置に維持することを含む基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 F
Fターム (13件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA12 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA24 ,  4K030KA26 ,  5F045EB02 ,  5F045EB17 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ09 ,  5F045HA23
引用特許：
審査官引用 (6件)
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