気相成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木戸一彦 , 木戸良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-127103
公開番号（公開出願番号）：特開2009-275255
出願日： 2008年05月14日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】薄膜を形成する基板表面の温度差を解消して均一な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。【解決手段】サセプタ12に回転可能に設けられたプレート受け台13にそれぞれ保持される載置プレート14の裏面側に加熱手段(ヒーター16)を設けた自公転構造を有する気相成長装置において、載置プレートの底面中央部を研削し、載置プレート中央部の厚さを載置プレート外周部の厚さより薄くすることで載置プレートの上面温度を均一化し、載置プレートの上面に保持する基板の表面温度を均一化して均質な薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

気相成長装置の成膜室内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの周方向に複数個が回転可能に設けられたリング状のプレート受け台と、該プレート受け台にそれぞれ保持された複数の載置プレートと、前記サセプタの裏面側に設けられた加熱手段と、サセプタの回転に伴って前記載置プレートを自公転させる自公転構造とを備え、該自公転構造によって前記載置プレート及び該載置プレート上に載置した基板を自公転させるとともに、前記加熱手段により前記載置プレートを介して基板を加熱しながら前記成膜室内に原料ガスを導入して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、前記載置プレートの底面中央部を研削し、載置プレート中央部の厚さを載置プレート外周部の厚さより薄くしたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

C23C 16/46 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/683

FI (4件)：

C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/31 B , H01L21/68 N

Fターム (22件)：

4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030JA01 , 4K030JA07 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 5F031CA02 , 5F031HA37 , 5F031HA42 , 5F031HA59 , 5F031MA28 , 5F045AA03 , 5F045AD11 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045EK07 , 5F045EK21 , 5F045EM02 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (2件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-066458 出願人：大陽日酸株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-096343 出願人：大陽日酸株式会社

審査官引用 (7件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-291713 出願人：大陽日酸株式会社
半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-150548 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開平2-068922

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