特許

J-GLOBAL ID：200903048049902687

窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法

発明者： 名西 ▲やす▼之 ,  寺口 信明 ,  鈴木 彰
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  学校法人立命館
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257998
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 結晶性・電気的特性及び再現性に優れた窒化物系III-V族化合物半導体装置を製造することを課題とする。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板材料としてSiCを用い、該SiC基板を、水素雰囲気中、塩化水素又は不活性ガスでエッチングする工程を経た後、該SiC基板上にAlN層を形成する工程と、更にその上に比抵抗1Ωcm以上1×105Ωcm以下を有するGaN層を形成する工程と、更にその上にアンドープGaN層を形成する工程と、更にその上にアンドープAlGaN層を形成する工程と、更にその上にSiドープAlGaN層を形成する工程を含む窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板材料としてSiCを用い、該SiC基板を、水素雰囲気中、塩化水素又は不活性ガスでエッチングする工程を経た後、該SiC基板上にAlN層を形成する工程と、更にその上に比抵抗1Ωcm以上1×105Ωcm以下を有するGaN層を形成する工程とを含む窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 201 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 201 A ,  H01L 29/80 H

Fターム (21件)：

5F004AA07 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB16 ,  5F045HA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235336   出願人：日本電信電話株式会社
• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084510   出願人：富士電機株式会社
• 炭化けい素半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286795   出願人：富士電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-367399   出願人：日立電線株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241581   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Hydrogen Etching of Silicon Carbide