特許
J-GLOBAL ID：200903048155266510
光強度分布シミュレーション方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094847
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273560
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】 フォトマスクのパターン膜の膜厚の影響を計算結果に簡易に反映可能な光強度分布シミュレーション方法を提供する。【解決手段】 複数の点光源(SX, SY)を抽出するステップ、複数の点光源(SX, SY)のそれぞれから照射された光ψを開口101a, 101b, 101cが設けられたパターン膜100に入射させるステップ、開口101a, 101b, 101cの設計形状のうち、パターン膜100の側壁のために光ψが直射できない部分を除いた実効形状を算出するステップ、及びパターン膜100の膜厚が無いものと仮定し、光ψによって開口101a, 101b, 101cで生じ、設計形状と実効形状との面積差により弱められる回折光の光強度分布を算出するステップを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
照明光学系を用いて、有効光源の形状分布が規定された光で、フォトマスク上に形成されたパターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する際に、前記半導体基板上の光強度分布をシミュレーションする方法において、
前記有効光源の形状分布から複数の点光源を抽出するステップと、
前記複数の点光源のそれぞれから照射された前記光を、前記フォトマスクに形成されたパターンに入射させるステップと、
前記パターンの開口の設計形状から前記パターンを有するパターン膜の側壁のために前記光が直射できない部分を除いた実効形状を、前記複数の点光源のそれぞれに対して算出するステップと、
前記複数の点光源のそれぞれに対して算出された実効形状を用いて、前記パターンで生じる回折光の分布をそれぞれ算出するステップ
とを含むことを特徴とする光強度分布シミュレーション方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 516Z
, G03F7/20 521
出願人引用 (1件)
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投影露光の最適化方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-191845
出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (5件)
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