半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069067
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273723
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、内部トランジスタの動作電圧に比較して入力側電圧がかなり低い場合であっても安定且つ高速に動作するレベル変換回路を提供することを目的とする。【解決手段】半導体集積回路は、第1の電圧範囲の入力信号によりオン/オフ状態が制御される第1及び第2の電界効果トランジスタと、第1及び第2の電界効果トランジスタのオン/オフ状態に応じて制御される第3及び第4の電界効果トランジスタと、第1乃至第4の電界効果トランジスタのオン・オフ状態に応じて第2の電圧範囲の出力信号が出力される端子と、第1の電界効果トランジスタの基板電位を入力信号により制御する制御回路を含む。

請求項（抜粋）：

第1の電圧範囲の入力信号によりオン/オフ状態が制御される第1及び第2の電界効果トランジスタと、該第1及び第2の電界効果トランジスタのオン/オフ状態に応じて制御される第3及び第4の電界効果トランジスタと、該第1乃至第4の電界効果トランジスタのオン・オフ状態に応じて第2の電圧範囲の出力信号が出力される端子と、該第1の電界効果トランジスタの基板電位を該入力信号により制御する制御回路を含むことを特徴とする半導体集積回路。

Fターム (12件)：

5J056AA11 , 5J056BB02 , 5J056BB16 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056DD29 , 5J056EE06 , 5J056FF08 , 5J056GG00 , 5J056GG09 , 5J056KK01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-164772 出願人：ソニー株式会社
CMOS論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346028 出願人：シャープ株式会社
動的しきい値MOSトランジスタを用いたバッファ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-163440 出願人：三菱電機株式会社

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