特許
J-GLOBAL ID：200903068619288784
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077713
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 高い制御性が必要であるp型透明電極を不要とすること。【解決手段】 n型の4Hもしくは2H-SiCからなる基板2の上に、n型GaN半導体層3、GaN半導体発光層4、p型AlGaN半導体層5、p型GaN半導体層6を積層するととともに、SiC基板2にn型電極8を形成し、p型GaN半導体層6にp型電極7を形成した半導体発光素子1であって、n型電極8を基板2の隅に配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
SiCからなる半導体製の基板の上にGaN系の半導体発光層を含む半導体層を積層した半導体発光素子であって、前記SiC基板として、発光波長に対して透明、かつ導電性のある基板を用いるとともに、このSiC基板に接続する不透明なパッド電極をSiC基板の中央を避けて隅部に配置したことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA42
, 5F041CA03
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA84
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA43
