特許
J-GLOBAL ID：200903048394855292
半導体結晶の製造方法及び半導体結晶の製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325563
公開番号（公開出願番号）：特開2007-131482
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】FZ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、原料となる半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、晶出側半導体棒を所望の直径まで拡大させながら成長させてコーン部を形成する工程と、晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、原料の供給を止め、晶出側半導体棒の直径を縮小させて該晶出側半導体棒を溶出側半導体棒から切り離す工程を含むFZ法による半導体結晶の製造方法において、少なくとも、前記直胴部形成工程中、特に、前記直胴部形成工程の最後で、前記晶出側半導体棒切り離し工程前に、原料を供給しつつ、晶出側半導体棒の直径を制御して自動的に縮小する工程を行う。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、原料となる半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、晶出側半導体棒を所望の直径まで拡大させながら成長させてコーン部を形成する工程と、晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、原料の供給を止め、晶出側半導体棒の直径を縮小させて該晶出側半導体棒を溶出側半導体棒から切り離す工程を含むFZ法による半導体結晶の製造方法において、少なくとも、前記直胴部形成工程中に、原料を供給しつつ、晶出側半導体棒の直径を制御して自動的に拡大又は縮小する工程を行うことを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 13/30
, C30B 13/08
, C30B 29/06
C30B13/30
, C30B13/08
, C30B29/06 501A
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EH04
, 4G077HA12
, 4G077NF01
, 4G077NF07
, 4G077NF08
, 4G077NF09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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