特許
J-GLOBAL ID：200903048401847012
配線用アルミニウム膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321957
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145143
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】層間絶縁膜などに形成された高アスペクト比のコンタクトホールやスルーホールをアルミニウム膜によってボイドフリーかつ完全に埋め込む。【解決手段】コンタクトホール13内を含む絶縁膜12の表面に、アルミニウムの気相化学成長に対して核形成作用を有する核形成層14を形成し、次に、コンタクトホール13の内壁を含む絶縁膜12の表面に、コンタクトホール13の半径のうちの最小の半径よりも薄い膜厚のアルミニウム膜15を気相化学成長によって形成する。引き続いて、アルミニウム膜15の表面が自然酸化膜で被覆される前に熱処理を行ってアルミニウムのリフローを行い、コンタクトホール13内が完全にアルミニウム膜15で埋め込まれるようにする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され平坦でない表面を有する絶縁膜上にアルミニウム膜を形成する配線用アルミニウム膜の形成方法であって、前記絶縁膜の表面に対し、気相化学成長によってアルミニウム膜を形成し、そののち、前記アルミニウム膜の表面が自然酸化膜で被覆される前に熱処理を行う、配線用アルミニウム膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C23C 16/06
, C23C 16/56
, H01L 21/285 301
H01L 21/88 N
, C23C 16/06
, C23C 16/56
, H01L 21/285 301 L
