特許
J-GLOBAL ID：200903057791998473

半導体発光素子

発明者：
門田 道雄

門田 道雄 について

, 
藤井 高志

藤井 高志 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101138
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 InxGayAlzN半導体結晶を用いた半導体発光素子において、共振面をへき開によって容易に製作できるようにし、さらに安価な基板コストで製作できるようにする。【解決手段】 へき開性の良好なR面サファイア基板2を化学エッチング又はドライエッチングした後、R面サファイア基板2上に低抵抗のZnO膜3をc軸配向させる。ZnO膜3の上にn型GaNクラッド層4、p型GaN活性層5及びp型GaNクラッド層6を設け、その上面にSiO2膜7を形成する。ついで、SiO2膜7の中央部をエッチングによって開口し、ZnO膜3を露出させる。この後、R面サファイア基板2をスクライブしてへき開させ、ZnO膜3の露出部分の上に下部電極8を形成し、SiO2膜7を介してp型GaNクラッド層6の上面を上部電極9で覆う。
請求項（抜粋）：
基板主面に対して垂直なへき開面を有する、へき開性の良好な基板の上方にZnO膜を形成し、このZnO膜の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (10件)：
5F041AA11 ,  5F041AA31 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49
引用特許：
審査官引用 (9件)
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