特許
J-GLOBAL ID：200903048508125729

高周波放電装置およびプラズマ処理方法

発明者：
西尾 良司

西尾 良司 について

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池永 和幸

池永 和幸 について

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吉岡 健

吉岡 健 について

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鈴木 慎一

鈴木 慎一 について

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黒木 啓二

黒木 啓二 について

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金井 三郎

金井 三郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085195
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 プラズマ発生室のメインテナンス性を損なうこと無く、また、機差を生じることもなく、プラズマ発生室の温度やシース電圧を高精度・高速応答で確実に制御できる誘導放電プラズマ処理装置の遮蔽電極を構成し、半導体製造における良好なプロセス性能を得る。【解決手段】 少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する真空容器1と;前記絶縁性の部分の周辺に巻き付けられた誘導アンテナ4と;前記誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路14を含む高周波電源13と;前記誘導アンテナと前記絶縁性の部分の間に設置された前記誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御する機能を持った遮蔽電極2で構成されているプラズマ反応容器であって;前記遮蔽電極が薄膜状のもので形成されており前記絶縁性の部分に物理的に密着(固着)しており、前記遮蔽電極および前記絶縁性の部分の一部もしくは全体が絶縁性の物質で覆われている高周波放電装置10及びプラズマ処理法。
請求項（抜粋）：
少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する真空容器と;前記絶縁性の部分の周辺に巻き付けられた誘導アンテナと;前記誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路を含む高周波電源と;前記誘導アンテナと前記絶縁性の部分の間に設置された前記誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御する機能を持った遮蔽電極で構成されているプラズマ反応容器であって;前記遮蔽電極が薄膜状のもので形成されており前記絶縁性の部分に物理的に密着(固着)していることを特徴とする高周波放電装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Fターム (33件)：
4K057DA02 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DM05 ,  4K057DM06 ,  4K057DM32 ,  4K057DM33 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB17 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB09 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AC03 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP02 ,  5F045EB05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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