特許
J-GLOBAL ID：200903051372799837
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247002
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077519
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み配線間や埋め込みプラグ間の絶縁耐圧が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板10上に形成された第1の絶縁層34と、第1の絶縁層34に形成された溝38a、38b内に埋め込まれた配線44とを有し、配線44の上部が第1の絶縁層34から突出している。
請求項（抜粋）：
下地基板上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に形成された溝内に埋め込まれた配線とを有し、前記配線の上部が前記第1の絶縁層から突出していることを特徴とする半導体装置。
Fターム (29件)：
5F033AA05
, 5F033AA12
, 5F033AA13
, 5F033AA23
, 5F033AA25
, 5F033AA28
, 5F033AA29
, 5F033AA61
, 5F033AA64
, 5F033BA15
, 5F033BA16
, 5F033BA17
, 5F033BA25
, 5F033BA37
, 5F033BA41
, 5F033BA45
, 5F033BA46
, 5F033CA09
, 5F033DA06
, 5F033DA08
, 5F033DA15
, 5F033DA28
, 5F033EA03
, 5F033EA19
, 5F033EA25
, 5F033EA26
, 5F033EA28
, 5F033EA29
, 5F033EA33
