特許
J-GLOBAL ID：200903048678886708

半導体装置およびその製造方法

発明者：
鎌田 和宏

鎌田 和宏 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-290833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128241
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】光学特性に優れ、かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極上に載置された半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、リード電極は、半導体装置の正面方向に延伸する貫通孔を有し、モールド部材の一部は、貫通孔とパッケージの背面とに延在していることを特徴とする半導体装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、主面側に前記半導体素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、該リード電極上に載置された前記半導体素子を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、 前記リード電極は、前記半導体装置の正面方向に延伸する貫通孔を有し、 前記モールド部材の一部は、前記貫通孔と前記パッケージの背面とに延在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L23/28
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L23/28 D
Fターム (16件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA91 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM