特許
J-GLOBAL ID：200903048928117373
縦型ゲート半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-112796
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042166
出願日： 2007年04月23日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】縦型ゲート半導体装置において、ソース領域と配線層とのコンタクト部の面積を小さくすることなく、ボディー領域と配線層とのコンタクト部の面積を大きくする。【解決手段】トレンチ6の上部に凹部が残るようにゲート電極10を形成すると共に当該凹部が途中まで埋まるようにゲート電極10上に絶縁膜11を形成することによって、ソース領域15と配線層とのコンタクト部をトレンチ6の壁面に設定すると共にボディー領域13及び16と配線層とのコンタクト部をトレンチ6の壁面及びボディー領域16の上面に設定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域の上側に設けられた第2導電型の第1ボディー領域と、
前記第1ボディー領域を貫通して形成されたトレンチと、
前記トレンチの上部に凹部が残るように前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記凹部が途中まで埋まるように前記ゲート電極の上に形成された絶縁膜と、
少なくとも前記ゲート電極の上部とオーバーラップするように、少なくとも前記トレンチの壁部となる前記第1ボディー領域の上部の一領域に形成された第1導電型のソース領域と、
前記トレンチの延びる方向に沿って前記ソース領域と隣り合うように、前記第1ボディー領域の上部の他領域に形成された第2導電型の第2ボディー領域と、
前記ソース領域及び前記第2ボディー領域のそれぞれの上部に形成された第2導電型の第3ボディー領域と、
前記ソース領域、前記第2ボディー領域及び前記第3ボディー領域のそれぞれとコンタクトする配線層とを備えていることを特徴とする縦型ゲート半導体装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 653C
, H01L29/78 652A
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658F
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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