特許
J-GLOBAL ID：200903049039594689
真空処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291758
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 真空予備室のスペースが小さくても被処理基板の全面に対して不活性ガスを供給可能な真空処理装置を提供すること。【解決手段】 基板Gに対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室10と、基板Gが真空処理室10に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持され、その内部が真空に保持される真空予備室20,30と、真空予備室20,30に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段45,57,90とを具備し、不活性ガス供給手段45,57,90は、真空予備室20,30内に保持された基板Gの表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口58,91と、基板Gの裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口59,92とを有する不活性ガス供給部57,90を備える。
請求項（抜粋）：
被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持され、その内部が真空に保持される真空予備室と、前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板の表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口と、被処理基板の裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口とを有する不活性ガス供給部を備えることを特徴とする真空処理装置。
IPC (8件)：
H01L 21/68
, B01J 3/00
, B01J 3/02
, B65G 49/00
, B65G 49/06
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
H01L 21/68 A
, B01J 3/00 J
, B01J 3/02 M
, B65G 49/00 C
, B65G 49/06 Z
, H01L 21/203 S
, H01L 21/31 B
, H01L 21/302 B
