特許
J-GLOBAL ID：200903049091158854

発光素子の製造方法

発明者：
山江 和幸

山江 和幸 について

, 
田中 健一郎

田中 健一郎 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-336186
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142277
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】 スクライブ溝の形成にレーザを用いながらも、汚染物除去時に出射面が損傷されにくい発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 個々の発光素子1を分離するためのスクライブ溝STをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板2において発光層3の光が出射する出射面を覆う保護膜7を設ける。スクライブ溝STの形成時に形成された汚染物CMを除去する工程では、出射面の凹凸構造は保護膜7により保護されるから損傷されにくい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性を有する結晶成長用基板の一面に3族窒化物半導体からなる発光層が設けられてなり、結晶成長用基板において発光層が設けられた面の反対面を、発光層の光が出射する出射面とした発光素子の製造方法であって、 発光層が設けられた結晶成長用基板の少なくとも出射面に凹凸を設ける凹凸形成工程と、 発光層が設けられた結晶成長用基板の少なくとも出射面上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、 出射面に保護膜が形成された結晶成長用基板に、ダイシング用のスクライブ溝をレーザにより形成するスクライブ溝形成工程と、 スクライブ溝形成工程においてスクライブ溝の内面に付着した汚染物を除去する汚染物除去工程と、 汚染物除去工程後に保護膜を除去する保護膜除去工程とを備えることを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/304
FI (6件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 N ,  H01L21/304 643Z
Fターム (17件)：
4E068AD01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA08 ,  4E068CA17 ,  4E068CD02 ,  4E068CF03 ,  4E068DA00 ,  4E068DB11 ,  5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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