特許
J-GLOBAL ID：200903005958300139
半導体発光素子の製造方法およびその半導体発光素子
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394651
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158971
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】従来よりも発光強度を増強する。 【解決手段】透明結晶基板11を複数含むウエハ10の一の面10aに、複数の透明結晶基板11に対して複数の半導体12をそれぞれ積層する積層工程と、複数の透明結晶基板11の各々におけるその半導体12が積層される面11aに対する少なくとも裏面11bの全面を、微粒子ブラスト材2のブラストにより粗面化する粗面化工程とを含んだ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明結晶基板を複数含むウエハの一の面に、前記複数の透明結晶基板に対して複数の半導体をそれぞれ積層する積層工程と、前記複数の透明結晶基板の各々におけるその半導体が積層される面に対する少なくとも裏面の全面を、ブラスト材のブラストにより粗面化する粗面化工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F041DA04
, 5F041DA09
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
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