特許
J-GLOBAL ID：200903049094589520
半導体微細柱の集合体,半導体装置及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292317
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083940
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 再現性よく受光,発光,波長変換等を行なう半導体装置の構造及びその製造方法を実現する。また、シリコンウエハプロセスとの互換性の高い素子構造及びその製造方法を実現する。【構成】 シリコン基板1の表面に上面絶縁膜5を堆積後、シリコンの半球状グレイン6からなる第1点状マスクMs1を形成し、第1点状マスクMs1を用いて上面絶縁膜5を島状にパターニングし、第2点状マスクMs2を形成する。この第2点状マスクMs2を用いてシリコン基板1をエッチングし、半導体微細柱2の集合体を形成する。その後、各半導体微細柱2間の隙間を絶縁層3で埋めて平坦化し、平坦化された半導体微細柱2表面の酸化膜を除去し、透明電極4をその上に形成する。シリコン基板上に直接第1点状マスクを形成し、第1点状マスクを用いてシリコン基板をエッチングしてもよい。
請求項（抜粋）：
基板上に、径方向の寸法が量子サイズ効果を生じる程度に微細な半導体の柱状体からなる半導体微細柱を多数個並設したことを特徴とする半導体微細柱の集合体。
IPC (11件)：
H01L 49/00
, C23C 16/40
, C23F 1/00 102
, H01L 29/06
, H01L 29/84
, H01L 31/04
, H01L 31/12
, H01L 33/00
, H05B 33/00
, H01L 27/15
, H01S 3/18
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 B
