特許
J-GLOBAL ID：200903072838521327
化合物半導体の気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202111
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050963
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】化合物半導体の気相成長方法において、活性な炭素不純物の取り込み効率を増大させることのできる方法を提供すること。【解決手段】上記課題は、炭素を不純物として添加した半導体層を気相成長法を用いて成長させる化合物半導体の気相成長方法において、上記半導体層の成長温度を、成長が反応律速になる範囲に選ぶことによって解決することができる。
請求項（抜粋）：
炭素を不純物として添加した半導体層を気相成長法を用いて成長させる化合物半導体の気相成長方法において、上記半導体層の成長温度を、成長が反応律速になる範囲に選ぶことを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。
引用特許：
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