電界効果トランジスタ、集積回路素子、及びそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182448
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010790
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】Ge原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。【解決手段】Si原子を含有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、Si原子とGe原子とを含有する突起構造と、前記突起構造内に形成されており、Ge原子を含有するチャネル領域と、前記突起構造内において前記チャネル領域の下部に形成されており、含有するSi原子とGe原子とに係るGe組成率が前記チャネル領域側から前記半導体基板側へと連続的に変化しているチャネル下部領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si原子を含有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、Si原子とGe原子とを含有する突起構造と、前記突起構造内に形成されており、Ge原子を含有するチャネル領域と、前記突起構造内において前記チャネル領域の下部に形成されており、含有するSi原子とGe原子とに係るGe組成率が前記チャネル領域側から前記半導体基板側へと連続的に変化しているチャネル下部領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (8件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301X , H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 617K , H01L29/78 613A , H01L27/08 321C

Fターム (89件)：

5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD06 , 5F048BD09 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F048DA25 , 5F048DA30 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK34 , 5F110HM15 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BB01 , 5F140BB05 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF06 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF47 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH13 , 5F140BH14 , 5F140BH32 , 5F140BH45 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK14 , 5F140BK17 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045597 出願人：株式会社東芝
ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-339572 出願人：三星電子株式会社
少なくとも5面チャンネル型FINFETトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-009650 出願人：三星電子株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-081559 出願人：株式会社東芝
ピン電界効果トランジスタ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-214878 出願人：三星電子株式会社
MOS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-311495 出願人：松下電器産業株式会社

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