特許
J-GLOBAL ID：200903049159399006

保護膜、保護膜の製造方法、および磁気記録媒体

発明者：
永田 徳久

永田 徳久 について

, 
宮里 真樹

宮里 真樹 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-413701
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171329
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 膜硬度の低下、磁気スペーシングの増加を伴わず、硬質膜でかつコンタミネーションガスが極めて吸着しにくい、保護膜、該保護膜の製造方法、および該保護膜を有する磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】 膜表面層5および膜内層6からなり、テトラヘドラル・アモルファス・カーボン膜からなる保護膜において、膜表面層5は水素を含まず窒化処理による窒素を含み、膜内層6は水素、窒素を含まず膜表面層5よりもsp3結合炭素に富んだ膜として構成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の部材の表面を被覆する保護膜であって、 膜表面層および膜内層からなり、sp3結合炭素を主成分としたテトラヘドラル・アモルファス・カーボン膜からなるもので、 前記膜表面層および前記膜内層には、所定の濃度範囲に制限された水素又は窒素が含有され、 ここで、 前記sp3結合炭素の比は、前記膜表面層よりも前記膜内層の方が高く設定され、 前記水素の濃度は、前記膜表面層および前記膜内層で略ゼロに近い値に設定され、 前記窒素の濃度は、前記膜表面層の濃度よりも前記膜内層の濃度の方が低く設定されたことを特徴とする保護膜。
IPC (5件)：
C23C28/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/32 ,  C23C26/00 ,  G11B5/72
FI (5件)：
C23C28/00 B ,  C23C14/06 F ,  C23C14/32 F ,  C23C26/00 H ,  G11B5/72
Fターム (19件)：
4K029AA11 ,  4K029BA34 ,  4K029BC02 ,  4K029BD11 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA01 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BA18 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC06 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA41 ,  4K044CA57 ,  5D006AA02 ,  5D006AA05
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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