特許
J-GLOBAL ID：200903049164554893

透明電極用基材及びその製造方法

発明者：
川島 卓也

川島 卓也 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101972
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311175
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】優れた電導性と透過性とを併せ持つ透明電極用基材及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る透明電極用基材は、透明基材1上に酸化インジウム・スズからなる透明導電膜2が設けてなり、透明導電膜2は少なくともインジウム(In)とスズ(Sn)の出発原料の総モル量中におけるSn量が、モル量で2%以上10%以下であることを特徴としている。本発明に係る透明電極用基材の製造方法は、少なくともインジウム(In)を含む化合物Aととスズ(Sn)を含む化合物Bとを出発原料とし、該出発原料を溶媒に溶解させ、スプレー熱分解堆積法により前記透明導電膜を形成する際に、前記Aと前記Bの総モル量中におけるスズのモル量を制御することを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基材上に酸化インジウム・スズからなる透明導電膜が設けてなり、前記透明導電膜は少なくともインジウム(In)とスズ(Sn)の出発原料の総モル量中におけるSn量が、モル量で2%以上10%以下であることを特徴とする透明電極用基材。
IPC (3件)：
H01B5/14 ,  C01G19/00 ,  H01B13/00
FI (3件)：
H01B5/14 A ,  C01G19/00 A ,  H01B13/00 503B
Fターム (6件)：
5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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