誘電体キャパシタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102539
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【目的】プラグ表面と下部電極とのオーミック接触性を得ることができ、加工性が良好で信頼性の高い誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板表面に形成された絶縁膜上に形成された下部電極と、前記下部電極の上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜の上に形成された上部電極と、を備えた誘電体キャパシタにおいて、前記下部電極は前記絶縁膜を貫通するように形成された導体層からなるプラグを介して半導体基板と電気的に接続されており、前記プラグと前記下部電極との界面には高融点金属層あるいは高融点金属の窒化物層が介在せしめられていると共に、前記下部電極上から前記絶縁膜上に伸長する前記誘電体膜と前記絶縁膜との界面には前記高融点金属層の酸化物層あるいは前記高融点金属層の酸窒化物層が介在していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された絶縁膜上に、下部電極と、誘電体膜と、上部電極とを順次積層してなる誘電体キャパシタにおいて、前記下部電極は前記絶縁膜を貫通するように形成された導体層からなるプラグを介して半導体基板と電気的に接続されており、前記プラグと前記下部電極との間には高融点金属層あるいは高融点金属の窒化物層が介在せしめられていると共に、前記下部電極上から前記絶縁膜上に伸長する前記誘電体膜と前記絶縁膜との間には前記高融点金属層の酸化物層あるいは前記高融点金属層の酸窒化物層が介在せしめられていることを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Fターム (9件)：

5F083FR00 , 5F083FR02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-147992 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056374 出願人：松下電子工業株式会社
半導体メモリ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366504 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

全件表示

前のページに戻る