SOI基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274978
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097377
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ないSOI構造を低コストで形成する。【解決手段】シリコン基板10に対してO2+イオンを注入した後、該シリコン基板に対し、酸素を0.1%以上1%以下含む雰囲気下、1200°C以上1410°C以下の温度で熱処理を行うことにより埋め込み酸化膜50を形成する。上記熱処理の後、さらにシリコン基板10に対し、酸素を1%以上30%以下含む雰囲気下、1200°C以上1410°C以下の温度で後熱処理を行ってもよい。また、上記熱処理の前に、シリコン基板10に対し、350°C以上1000°C以下の温度で1時間以上の予備熱処理を行ってもよい。

請求項（抜粋）：

酸素イオン注入により埋め込みシリコン酸化層を形成する工程を含むSOI基板の製造方法において、シリコン基板に対してO2+イオンを注入する工程と、該シリコン基板に対し、酸素を0.1%以上1%以下含む雰囲気下、1200°C以上1410°C以下の温度で熱処理を行う工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 J , H01L 27/12 E , H01L 21/265 602 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

分子イオン注入を用いたSIMOX処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038559 出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
SOI基板の製造方法およびSOI基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076538 出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
SOI 基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-234415 出願人：日本電信電話株式会社

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