特許
J-GLOBAL ID：200903049516304256

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
アルベルト オー.アダン

アルベルト オー.アダン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-184182
公開番号（公開出願番号）：特開2006-012924
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 高集積度化でき、電気射特性を維持しながら、低コスト化できる電界効果トランジスタおよびその製造方法を実現する。【解決手段】 シリコン基板1上に、フィン形状に突出して形成されたフィン部3、5を設ける。フィン部3、5のチャネル領域部を被覆したゲート誘電体8を設ける。ゲート誘電体8によってチャネル領域部から絶縁されて、上記チャネル領域部上に形成されたゲート電極4を設ける。シリコン基板1上を覆う絶縁体層2を設ける。フィン部3、5は、シリコン基板1から絶縁体層2を貫通して絶縁体層2の表面より突出して延びるように形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、フィン形状に突出して形成されたフィン部を有する、金属-絶縁体-半導体の電界効果トランジスタであって、 前記フィン部に、チャネル領域部と、チャネル領域部を挟んでそれぞれ形成されたソース領域部およびドレイン領域部と、 上記フィン部のチャネル領域部を被覆したゲート誘電体薄膜と、 上記ゲート誘電体薄膜によってチャネル領域部から絶縁されて、上記チャネル領域部上に形成されたゲート電極と、 上記半導体基板上を覆う絶縁体層とを含み、 上記フィン部は、上記半導体基板から上記絶縁体層を貫通して上記絶縁体層の表面より突出して延びるように形成されている、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/78 301H ,  H01L29/78 301X
Fターム (21件)：
5F140AA12 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BB05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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