特許
J-GLOBAL ID：200903049745519975

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
古山 晃一

古山 晃一 について

, 
浅野 弥寿昭

浅野 弥寿昭 について


出願人/特許権者：
株式会社豊島製作所

株式会社豊島製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132505
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256762
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】 太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】 亜鉛に対して0.1at%から20at%の正三価以上の元素の一種または二種以上を加えて第一の焼結をした酸化物100重量部に対して5〜20重量部の金属亜鉛を加えて、700〜1100°Cの温度範囲で第二の焼結を行い、所定の加工を施してスパッタリングターゲットを得る。該スパッタリングターゲットは金属亜鉛が酸化物相に固溶していない混晶組織からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより単一酸化物相の透明導電膜が得られ、600nm以上の波長域で光透過率を高めることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スパッタ導電膜の700〜1200nmの波長域における光透過率を高めるためのスパッタリングターゲットであって、亜鉛に対して0.1at%から20at%の正三価以上の元素の一種または二種以上を加えて焼結した酸化物100重量部に対して5〜20重量部の金属亜鉛を含むことを特徴とする透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/453
FI (2件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 P
Fターム (25件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA61 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BC08 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34
引用特許：
出願人引用 (7件)
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