特許
J-GLOBAL ID：200903000708022719

スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜

発明者：
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
田中 信夫

田中 信夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217432
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031786
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  C04B 35/453
FI (3件)：
C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  C04B35/00 P
Fターム (25件)：
3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA61 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA14 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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