特許
J-GLOBAL ID：200903049749146359

半導体装置およびその製造方法

発明者：
青野 眞司

青野 眞司 について

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高橋 英樹

高橋 英樹 について

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友松 佳史

友松 佳史 について

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守谷 純一

守谷 純一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036512
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205015
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】しきい値電圧のばらつきが低減される半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】N-基板1の表面から所定の深さの領域にキャリア蓄積層3が位置し、その所定の深さよりも浅い領域にベース領域2が位置し、N-基板の表面にエミッタ領域4が位置する。キャリア蓄積層3は、所定の深さにおいて不純物濃度が最大となるように注入されたリンによって形成され、ベース領域2はその深さよりも浅い位置において不純物濃度が最大となるように注入されたボロンによって形成され、エミッタ領域4はN-基板の表面において最大となるように注入された砒素によって形成されている。エミッタ領域4、ベース領域2およびキャリア蓄積層3を貫通するように開口部1aが形成され、その開口部1aの内壁面上にゲート絶縁膜7を介在させてゲート電極8が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主表面から第1の深さにおいて不純物濃度の最大値を有する第1導電型の第1不純物によって、前記第1主表面から距離を隔てて前記第1の深さに対応する領域に形成された第1導電型の第1不純物領域と、 前記半導体基板の前記第1主表面から前記第1の深さよりも浅い第2の深さにおいて不純物濃度の最大値を有する第2導電型の第2不純物によって、前記第2の深さに対応する領域から前記第1不純物領域に達するように形成された第2導電型の第2不純物領域と、 前記半導体基板の前記第1主表面において不純物濃度の最大値を有する第1導電型の第3不純物によって、前記第1不純物領域とは前記第2不純物領域を介在させて距離を隔てられるように前記第1主表面から所定の深さにわたって形成された第1導電型の第3不純物領域と、 前記第3不純物領域、前記第2不純物領域および前記第1不純物領域を貫通して前記半導体基板の前記第1導電型の領域に達する開口部と、 前記開口部の側壁に露出した前記第3不純物領域、前記第2不純物領域および前記第1不純物領域を覆うように前記側壁上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜を覆うように前記開口部内に形成された電極部と、 前記半導体基板の前記第2主表面に形成された第2導電型の領域と を備えた、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658L ,  H01L29/78 658D
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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