圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器並びにこれらの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-085806
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243200
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜又は強誘電体膜を備えた圧電体デバイス又は強誘電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】基板52の上にイオンビームアシスト法で中間膜であるバッファ層(強誘電体デバイスの場合)、又は振動板53(圧電体デバイスの場合)を形成し、中間膜53上に下部電極542を形成し、下部電極542上に強誘電体膜(強誘電体デバイスの場合)、又は圧電体膜543(圧電体デバイスの場合)を形成し、強誘電体膜又は圧電体膜543上に上部電極541を形成する。下部電極542、強誘電体膜又は圧電体膜543は、エピタキシャル成長によって形成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

少なくとも一部にイオンビームアシスト法を用いることで基板上に中間膜を形成し、前記中間膜上に下部電極を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜を形成し、前記強誘電体膜上に上部電極を形成する、強誘電体デバイスの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 41/22 , H01L 41/18 , H01L 41/09 , H01L 41/24 , H01L 41/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , B41J 2/055 , B41J 2/045 , B41J 2/16

FI (9件)：

H01L41/22 Z , H01L41/18 101Z , H01L41/08 C , H01L41/08 L , H01L41/22 A , H01L41/08 D , H01L27/10 444C , B41J3/04 103A , B41J3/04 103H

Fターム (28件)：

2C057AF93 , 2C057AG12 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP58 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR22 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55

引用特許：

出願人引用 (1件)

多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293464 出願人：株式会社フジクラ

審査官引用 (9件)

薄膜積層体の製造方法および強誘電体薄膜素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270352 出願人：株式会社村田製作所
圧電体薄膜素子、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112263 出願人：セイコーエプソン株式会社
圧電素子構造体と液体噴射ヘッドならびにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-033823 出願人：キヤノン株式会社, 和佐清孝

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