半導体装置およびその作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174173
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】本発明は、表示領域が大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、画素部のゲート電極をWを主成分とする材料膜と、Alを主成分とする材料膜と、Tiを主成分とする材料膜との3層構造として配線の低抵抗化を図るものである。ICPエッチング装置を用いて配線をエッチングする。また、ゲート電極はテーパー形状を有し、テーパー形状となっている部分を1μm以上とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、前記ゲート電極と同じ材料からなるソース配線を有する第1のnチャネル型TFTを備えた画素部と、第2のnチャネル型TFTと第3のnチャネル型TFTからなる回路とを備えた駆動回路と、前記ゲート電極と同じ材料からなる端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/417 , H01L 29/43

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 K , H01L 29/62 G , H01L 29/50 U

Fターム (117件)：

2H092GA29 , 2H092GA51 , 2H092GA60 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB61 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 2H092PA10 , 2H092PA11 , 2H092PA13 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD65 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 5C094AA14 , 5C094AA22 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094HA08 , 5F110AA09 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN44 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28 , 5G435AA16 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435EE27 , 5G435EE47 , 5G435LL07 , 5G435LL14

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ型液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202633 出願人：株式会社フロンテック
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-107575 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
標本化回路を形成する薄膜回路素子を有する電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-112844 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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